CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt 902Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt 640Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 350Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
815erwartet ab 30.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
32Auf Lager
60erwartet ab 27.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440224 N-Channel 120 V 12 A - 3.8 V - 40 C + 150 C