MRF101 HF-Leistung-LDMOS-Transistoren

Die MRF101 HF-Leistungs-LDMOS-Transistoren von NXP Semiconductors sind höchst robuste seitliche N-Kanal-Verbesserungs-MOSFETs, die entwickelt wurden, um bis zu 250 MHz aufzuweisen. Diese Transistoren integrieren einen ESD-Schutz mit größerem negativen Gate-Quellenspannungsbereich für einen verbesserten Betrieb der Klasse C. Beide Transistoren sind in zwei Pinbelegungsversionen erhältlich und widerspiegeln sich, um Push-Pull-Konfigurationen für eine zusätzliche Flexibilität zu unterstützen. Die MRF101 Transistoren eignen sich hervorragend für industrielle, wissenschaftliche und medizinische Applikationen mit hohem Stehwellenverhältnis (VSWR).

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Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Datenblatt
3'618Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Datenblatt
253Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube