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RM10N100LDV-T

Name: Rectron RM10N100LDV-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM10N100LDV-T
Price: 0.99 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

583-RM10N100LDV-T

Herst.- Nr.:

RM10N100LDV-T

Herst.:

Rectron

Beschreibung:

MOSFETs

Datenblatt:

RM10N100LDV-T Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.999	CHF 1.00
	CHF 0.621	CHF 6.21
	CHF 0.405	CHF 40.50
	CHF 0.311	CHF 155.50
	CHF 0.29	CHF 290.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.245	CHF 612.50
	CHF 0.228	CHF 1'140.00
	CHF 0.211	CHF 2'110.00
	CHF 0.204	CHF 5'100.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Rectron
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	130 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	21.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Rectron
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.4 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

RM10N100LDV-T Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.