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NVMFD027N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD027N10MCLT1G
Price: 1.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-VMFD027N10MCLT1G

Herst.- Nr.:

NVMFD027N10MCLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Datenblatt:

NVMFD027N10MCLT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	138 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	164 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	3.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Serie:	NVMFD027N10MCL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns

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Datenblatt

NVMFD027N10MCLT1G Datenblatt

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFD027N10MCL n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET

Der Onsemi NVMFD027N10MCL n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET ist ein Automotive-Leistungs-MOSFET von 100 V, 28 A, 26 mΩ, der für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Das AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Bauteil ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit einer benetzbaren Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion verfügbar. Der NVMFD027N10MCL MOSFET von onsemi zeichnet sich durch eine hohe thermische Leistungsfähigkeit und einen niedrigen R_DS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten aus.