CLP24H4S30PXY

Ampleon
94-CLP24H4S30PXY
CLP24H4S30PXY

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Lebenszyklus:
Neu bei Mouser
Datenblatt:
ECAD Model:
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Ampleon
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
150 V
774 uA
- 15 V, 2 V
- 2.2 V
+ 225 C
Marke: Ampleon
Verstärkung: 18.4 dB
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsleistung: 30 W
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 100
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN SiC
Typ: RF Power MOSFET
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.

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