Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu Siehe Produktspezifikationen
Teilen
Der Link konnte zu diesem Zeitpunkt nicht generiert werden. Bitte versuchen Sie es noch einmal.
LMG341xR150 GaN-FET
Der LMG341xR150 GaN FET mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen von Texas Instruments bietet Designern neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads in Leistungselektronik-Systemen. Der LMG341xR150 GaN FET zeichnet sich durch eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, eine Sperrverzögerung von Null zur Reduzierung von Schaltverlusten um bis zu 80 % und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI aus. Die Funktionen ermöglichen dichte und effiziente Topologien wie den Totem-Pole-PFC.
