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UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 52.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UG3SC120009K4S

Herst.- Nr.:

UG3SC120009K4S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

Datenblatt:

UG3SC120009K4S Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 25 V to 25 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	6 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	7.6 mOhms
Pd - Verlustleistung:	789 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UG3S
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

UG3SC120009K4S Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

Die onsemi Combo-FETs sind revolutionäre Bauteile, die einen SiC-JFET von onsemi mit niedrigem R_DS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren. Diese Combo-FETs sind ausdrücklich für Niederfrequenz-Schutzapplikationen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter, Batterietrennschalter und Überspannungsschutz ausgelegt und ermöglichen Benutzern den Zugriff auf das JFET-Gate zur Optimierung des Designs. Die Integration des Si-MOSFETs in diese Combo-FETs von onsemi gewährleistet eine normalerweise ausgeschaltete Lösung, die eine Größenreduzierung von über 25 % im Vergleich zu diskreten Implementierungen ermöglicht.

UG3SC Kombi-FET von 1.200 V, 7,6 mΩ

Der onsemi UG3SC Kombi-FET von 1.200 V, 7,6 mΩkombiniert einen 1.200-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit einer niedrigen Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Dieses Design ermöglicht einen normalerweise ausgeschalteten Schalter, während die Vorteile eines normalerweise auf SiC-JFET genutzt werden. Der UG3SC Combo-FET von onsemi bietet einen extrem niedrigen on-Widerstand [R_DS(on)] für reduzierte Leitungsverluste und die Robustheit, die für die Hochenergie-Schaltung in Schaltungsschutzapplikationen erforderlich ist.