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UCC27332QDGNRQ1

Name: Texas Instruments UCC27332QDGNRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27332QDGNRQ1
Price: 1.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC27332QDGNRQ1

Herst.- Nr.:

UCC27332QDGNRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Automotive 9-A/9-A s ingle-channel gate

Datenblatt:

UCC27332QDGNRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 1.22	CHF 12.20
	CHF 1.11	CHF 27.75
	CHF 0.989	CHF 98.90
	CHF 0.932	CHF 233.00
	CHF 0.90	CHF 450.00
	CHF 0.875	CHF 875.00
	CHF 0.835	CHF 2'087.50
	CHF 0.819	CHF 4'095.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Low-Side Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HVSSOP-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	9 A, 9 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	16 ns
Abfallzeit:	11 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	UCC27332
Marke:	Texas Instruments
Logiktyp:	TTL
Betriebsversorgungsstrom:	150 uA, 3.9 mA
Ausgangsspannung:	0 V to 18 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	60 ns, 65 ns
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

UCC27332QDGNRQ1 Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC27332-Q1 Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber

Der UCC27332-Q1 Einkanal-Hochgeschwindigkeits-Low-Side-Gate-Treiber von Texas Instruments kann MOSFET- und GaN-Leistungsschalter effektiv ansteuern. Der UCC27332-Q1 verfügt über eine typische Spitzenantriebsstärke von 9 A, die die Anstiegs- und Abfallzeiten der Leistungsschalter reduziert, Schaltverluste senkt und den Wirkungsgrad erhöht. Die kleine Laufzeitverzögerung des UCC27332-Q1 Bauteils sorgt für einen besseren Wirkungsgrad der Leistungsstufe durch Verbesserung der Totzeitoptimierung, des Regelkreisverhaltens, der Pulsbreitenauslastung und des Einschwingverhaltens des Systems.