Siliconix EF-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Vishay Siliconix EF-Baureihe MOSFETs der 4. Generation bieten eine extrem niedrige Gütezahl (Figure of Merit, FOM) für eine Hochleistungsschaltung und einen hohen Wirkungsgrad. Die MOSFET-FOM wird als Einschaltwiderstand (R(DS)ON) multipliziert mit der Gate-Ladung (Qg) berechnet. Diese MOSFETs basieren auf der Superjunction-Technologie der 4. Generation von Vishay und verfügen über einen typischen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,088 Ω bis 0,225 Ω bei VGS = 10 V und eine extrem niedrige Gate-Ladung von bis zu 21 nC. Darüber hinaus bieten diese Bauteile niedrige effektive Ausgangskapazitäten (Co(er) und Co(tr)) für eine verbesserte Schaltleistung. Diese Werte sorgen für geringere Leit- und Schaltverluste, um Energie zu sparen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’358Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET
Datenblatt
952Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 27 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
936Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET
Datenblatt
2’647Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
Datenblatt
2’478Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
Datenblatt
489Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES
Datenblatt
5’404Auf Lager
2’000erwartet ab 16.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
Datenblatt
2’138Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 201 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’161Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET
Datenblatt
488Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 84 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
832Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL
Datenblatt
2’594Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35.4 A 2.3 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
729Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’516Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’620Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’311Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET
Datenblatt
453Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
Datenblatt
2’000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AB-4 N-Channel 1 Channel 600 V 46 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’000erwartet ab 28.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Datenblatt
1’000Auf Lager verfügbar
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1’000
Mult.: 1’000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement