NCD57200DR2G

onsemi
863-NCD57200DR2G
NCD57200DR2G

Herst.:

Beschreibung:
Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated High Side Non-Isolated LowSide

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 1.25 CHF 1.25
CHF 0.916 CHF 9.16
CHF 0.835 CHF 20.88
CHF 0.738 CHF 73.80
CHF 0.694 CHF 173.50
CHF 0.668 CHF 334.00
CHF 0.611 CHF 611.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 0.609 CHF 1'522.50
CHF 0.582 CHF 4'365.00
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onsemi
Produktkategorie: Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:  
NCD57200
SMD/SMT
SOIC-8
- 40 C
+ 125 C
90 ns
13 ns
8 ns
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: onsemi
Anzahl der Treiber: 2 Driver
Anzahl der Ausgänge: 2 Output
Betriebsversorgungsstrom: 380 uA
Ausgangsstrom: 1.9 A
Produkt: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ: Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 20 V
Versorgungsspannung - Min.: 500 mV
Technologie: Si
Typ: High-Side, Low-Side
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

NCD57200 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der Halbbrücken-Gate-Treiber NCD57200 von onsemi ist ein Hochspannungs-Gate-Treiber mit einem nicht isolierten Low-Side-Gate-Treiber und einem galvanisch getrennten High- oder Low-Side-Gate-Treiber. Dieser Gate-Treiber kann zwei IGBTs in einer Halbbrücken-Konfiguration direkt ansteuern. Die Gate-Treiber NCD57200 bietet optimierte Ausgangsstufen, die eine Möglichkeit zur Reduzierung der IGBT-Verluste bieten. Die galvanische Trennung für den High-Side-Gate-Treiber garantiert ein zuverlässiges Schalten bei Hochleistungsanwendungen für IGBTs, die mit bis zu 800 V betrieben werden. Der Halbbrücken-Gate-Treiber NCD57200 von onsemi enthält zwei unabhängige Eingänge mit Totzeit und Verriegelung, präzise asymmetrische UVLOs sowie kurze, angepasste Laufzeitverzögerungen. Zu den typischen Anwendungen gehören Lüfter, Pumpen, Haushaltsgeräte, Unterhaltungselektronik und Universal-Halbbrückenanwendungen.

Galvanisch getrennte Hochstrom-Gate-Treiber

Die galvanisch getrennten Hochstrom-Gate-Treiber von onsemi bieten eine hohe Transienten- und elektromagnetische Störfestigkeit. Der NCx5700x ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Die Treiber verfügen über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Fault- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz, Sanftabschaltung bei DESAT und separate High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL) für ein einfacheres Systemdesign. Die NCx5700x nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Diese Bauteile von onsemi bieten eine galvanische Trennung von >50 kVRMS (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 VIORM -fähig (Betriebsspannung). Die Baureihe NCx5700x ist in eine Wide-Body-SOIC-16-Gehäuse mit garantierter Kriechstrecke von 8 mm zwischen Eingang und Ausgang erhältlich, um erhöhte Sicherheitsanforderungen an die Trennung zu erfüllen.