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NTMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NTMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6H858NLT1G
Price: 0.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS6H858NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS6H858NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V LL SO8FL

Datenblatt:

NTMFS6H858NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 0.609	CHF 6.09
	CHF 0.401	CHF 40.10
	CHF 0.311	CHF 155.50
	CHF 0.261	CHF 261.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.24	CHF 360.00
	CHF 0.239	CHF 717.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	NTMFS6H858NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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Datenblatt

NTMFS6H858NLT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS6H858NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der NTMFS6H858NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi ist für kompakte und effiziente Designs in einem Flat-Lead-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm konzipiert. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(on), eine niedrige Q_G und Kapazität sowie eine Logikpegel-Antriebsfähigkeit. Der NTMFS6H858NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird bei einer Drain-to-Source-Spannung von 80 V, einer Gate-to-Source-Spannung von ±20 V und einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist Bleifrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltnetzteile, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken), 48V-Systeme, Motorsteuerung, Lastschalter und DC/DC-Wandler.