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BGA855N6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA855N6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA855N6E6327XTS
Price: 0.51 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BGA855N6E6327XTS

Herst.- Nr.:

BGA855N6E6327XTSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Verstärker RF MMIC SUB 3 GHZ

Datenblatt:

BGA855N6E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 12000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.511	CHF 0.51
	CHF 0.359	CHF 3.59
	CHF 0.322	CHF 8.05
	CHF 0.281	CHF 28.10
	CHF 0.262	CHF 65.50
	CHF 0.251	CHF 125.50
	CHF 0.23	CHF 230.00
	CHF 0.224	CHF 896.00
	CHF 0.218	CHF 1'744.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 12000)
	CHF 0.218	CHF 2'616.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Verstärker
RoHS:
Betriebsfrequenz:	1.164 GHz to 1.3 GHz
Betriebsversorgungsspannung:	1.1 V to 3.3 V
Betriebsversorgungsstrom:	4.4 mA
Verstärkung:	17.6 dB
NF - Noise Figure (Rauschzahl):	0.6 dB
Typ:	Low Noise Amplifiers
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSNP-6
Technologie:	SiGe
P1dB - Kompressionspunkt:	- 14 dBm
OIP3 - Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (Third Order Intercept):	1 dBm
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	BGA855N6
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Eingaberücklaufverlust:	11 dB
Isolierung dB:	22 dB
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	60 mW
Produkt-Typ:	RF Amplifier
Verpackung ab Werk:	12000
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrequenz:	1.214 GHz
Artikel # Aliases:	BGA 855N6 E6327 SP002337750
Gewicht pro Stück:	0.830 mg

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Datenblatt

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Models

BGA855N6E6327XTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542339000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

BGA855N6 Rauscharmer HF-Verstärker

Der Infineon Technologies BGA855N6 rauscharme HF-Verstärker verbessert die GNSS-Signalempfindlichkeit von L-Band-Applikationen, die in einem Frequenzbereich von 1.164 MHz bis 1.300 MHz betrieben werden. Dieser Verstärker deckt die GPS L2/L5, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, Beidou B3 und B2 Bänder ab. Der BGA855N6 Verstärker bietet eine Einfügungsleistungsverstärkung von 17,8 dB, einen geringen Stromverbrauch, eine hohe Linearitätsleistung, einen intern abgestimmten HF-Ausgang und eine hohe Genauigkeit. Die hohe Linearitätsleistung des BGA855N6 sorgt für die höchste Empfindlichkeit beim Betrieb in 4G- und 5G-NSA-Konfigurationen. Dieser Verstärker basiert auf der B9HF Silizium-Germanium-Technologie und wird mit einer Versorgungsspannung von 1,1 V bis 3,3 V betrieben.

Rauscharme Verstärker-ICs (LNA).

Die rauscharmen Verstärker(LNA)-ICs von Infineon Technologies erhöhen die Datenraten und die Empfangsqualität von Wireless-Applikationen durch die Nutzung eines sehr stromsparenden Signals ohne wesentliche Beeinträchtigung des Signal-Rausch-Verhältnisses. Die bessere Empfängerempfindlichkeit verbessert das Benutzererlebnis und erfüllt die Marktanforderungen. Diese hochintegrierten Bauteile in einem kleinen Gehäuse verfügen über einen ESD-Schutz und einen geringen Stromverbrauch, wodurch sie sich hervorragend für batteriebetriebene Mobilgeräte eignen. Die Benutzer von tragbaren 4G/5G-, GPS-, Mobile TV-, Wi-Fi- und FM-Geräten profitieren vom Empfang mit hoher Datenrate, schneller/präziser Navigation und reibungslosem, hochwertigem Streaming auch unter schlechtesten Empfangsbedingungen.