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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 30 A 3-level IGBT module
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.5 V 30 A 100 nA Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray