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AF54RHC132ENT-R

Name: Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AF54RHC132ENT-R
Price: 85.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

444-AF54RHC132ENT-R

Herst.- Nr.:

AF54RHC132ENT-R

Herst.:

Apogee Semiconductor

Beschreibung:

Logische Gatter GEO Quad Schmitt 2-input NAND, Evaluation-Grade, NiPdAu TSSOP14, packed in tape and reel

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AF54RHC132ENT-R Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 85.07	CHF 85.07
	CHF 77.01	CHF 770.10
	CHF 74.95	CHF 1'873.75
	CHF 74.90	CHF 3'745.00
	CHF 71.39	CHF 7'139.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	CHF 69.16	CHF 17'290.00

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Hersteller:	Apogee Semiconductor
Produktkategorie:	Logische Gatter
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Logik-Funktion:	NAND
Anzahl der Gates:	4 Gate
Logikfamilie:	AF54RHC
Anzahl der Eingabezeilen:	8 Input
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-14
Anzahl der Ausgabezeilen:	4 Output
Unterer Ausgangsstrom:	24 mA
Oberer Ausgangsstrom:	- 24 mA
Verzögerungszeit Übertragungs:	38 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.65 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Apogee Semiconductor
Logiktyp:	CMOS
Betriebstemperaturbereich:	- 55 C to + 125 C
Ausgangsstrom:	100 mA
Ausgangsspannung:	5.5 V
Produkt:	NAND Gate
Produkt-Typ:	Logic Gates
Serie:	AF54RHC132
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Logic ICs
Handelsname:	LEO

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Datenblatt

AF54RHC132ENT-R Datenblatt (PDF)

PCN

USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).