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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Datenblatt
356Auf Lager
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Datenblatt
493Auf Lager
240Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Datenblatt
1’365Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Datenblatt
616Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Datenblatt
677Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Datenblatt
440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Datenblatt
18Auf Lager
1’200Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Datenblatt
1’992Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC