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AGT4350R-HF

Name: Comchip Technology AGT4350R-HF
Brand: Comchip Technology
SKU: 750-AGT4350R-HF
Price: 0.17 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

750-AGT4350R-HF

Herst.- Nr.:

AGT4350R-HF

Herst.:

Comchip Technology

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT TRANS NPN 3A 50V SOT-223

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AGT4350R-HF Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Comchip Technology
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-223-4
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	50 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	5 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	370 mV
Pd - Verlustleistung:	1.15 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	100 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	AGT43
Verpackung:	Reel
Marke:	Comchip Technology
Kollektorgleichstrom:	3 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100 at 3 A, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	4000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

AGT4350R-HF Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AGT4350R-HF Silicon Epitaxial Planar Transistor

Comchip Technology AGT4350R-HF Silicon Epitaxial Planar Transistor features AEC-Q101 qualification along with low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat) and corresponding low R_CE(sat). This RoHS device is constructed with a molded plastic SOT-223 case with reduced heat generation for improved efficiency. Additional features include high collector current capability, high collector current gain, and both an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C. Comchip Technology AGT4350R-HF Silicon Epitaxial Planar Transistor is halogen free and comes with tin-plated terminals.