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NVTFS5826NLWFTWG-UM

Name: onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-TFS5826NLWFTWGUM
Price: 1.26 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-TFS5826NLWFTWGUM

Herst.- Nr.:

NVTFS5826NLWFTWG-UM

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVTFS5826NLWFTWG-UM Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WDFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	24 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	22 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	8 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	29 ns
Serie:	NVTFS5826NL
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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Datenblatt

NVTFS5826NLWFTWG-UM Datenblatt

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Einzel-n- & p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

onsemi Einzel-n- &p-Kanal-Leistungs-MOSFETs ermöglichen eine kleine Auflagefläche, niedrigen R_DS(on) und niedrige Q_G und Kapazität zur Minimierung der Leitungs- und Treiberverluste. onsemi Einzel n- & p-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und eignen sich für automobile und andere Anwendungen, die AEC-Q101 qualifizierte Platz- und Änderungskontrolle erfordern.
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