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SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR186LDP-T1-RE3
Price: 1.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR186LDP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR186LDP-T1-RE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

Datenblatt:

SIR186LDP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.22	CHF 1.22
	CHF 0.772	CHF 7.72
	CHF 0.519	CHF 51.90
	CHF 0.408	CHF 204.00
	CHF 0.372	CHF 372.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.327	CHF 981.00
	CHF 0.325	CHF 1'950.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	31.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	57 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	54 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

SIR186LDP-T1-RE3 Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR186LDP 60-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFETs

Vishay/Siliconix SiR186LDP 60-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFETs nutzen die TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET-Technologie. Die SiR186LDP MOSFETs verfügen über eine sehr niedrige R_DS x Q_g-Gütezahl (FOM) und sind auf die niedrigste R_DS-Q_oss-FOM abgestimmt. Die SiR186LDP 60-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFETs von Vishay/Siliconix eignen sich hervorragend für synchrone Gleichrichtungs-, primärseitige Schalt-, DC/DC-Wandler- und Motorantriebsschalt-Applikationen.