Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (RDS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Qg) und eine geringe (Qg) x RDS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Qg und Qoss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs T8 40V LOW COSS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi MOSFETs T8 60V LOW COSS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
: 5’000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel