Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

Arten von diskreten Halbleitern
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STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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116Auf Lager
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Rolle: 2'500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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574Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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653Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
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441Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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1'025Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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1'012Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
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383Auf Lager
1'000erwartet ab 17.02.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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207Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
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1'554Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
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229Auf Lager
1'000erwartet ab 06.04.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
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422Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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880Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
Datenblatt
986Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5
Datenblatt
13Auf Lager
1'000erwartet ab 23.03.2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
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137Auf Lager
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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344Auf Lager
1'000erwartet ab 10.04.2026
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Rolle: 1'000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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1'076Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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185Auf Lager
600erwartet ab 20.05.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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452Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
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Vorlaufzeit 14 Wochen
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
Datenblatt
258Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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400Auf Lager
600erwartet ab 13.04.2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
470Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Datenblatt
297Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Datenblatt
74Auf Lager
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P