U-MOSVII-H Leistungs-MOSFETs für die Automotive

Die U-MOSVII-H Leistungs-MOSFETs von Toshiba Automotive sind AEC-Q101-qualifizierte Silizium-N-Kanal-MOSFETs. Die U-MOSVII-H-Leistungs-MOSFETs von Toshiba Automotive bieten einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand und sind ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen sowie in DC-DC-Wandlern und Power-Management-Schaltern im Automotive-Bereich.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
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Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
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3’000erwartet ab 06.07.2026
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
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Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
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4’391erwartet ab 14.08.2026
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Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
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Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel