OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100-V-Leistungs-MOSFETs werden in SuperSO8- und PQFN-Gehäusen von 3,3 x 3,3 mm angeboten und sind für Hochschalt-Frequenzapplikationen, wie z. B. Telekommunikations- und Solarapplikationen optimiert, bei denen Verluste mit Ladungen (Schaltung) und Einschaltwiderstand (Leitung) verbunden sind. Darüber hinaus eignet sich das Bauteil aufgrund des erstklassigen RDS(on) und des größeren Sicherheitswirkbereichs (SOA) hervorragend für batteriebetriebene Applikationen (BPA) und Batteriemanagementsysteme (BMS).

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
2'227Auf Lager
10'000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
5'798Auf Lager
15'000erwartet ab 03.12.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
10'411Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
3'694Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
9'443Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
13Auf Lager
20'000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
75'610Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
19'919Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape