PSMN8R0 N-Kanal-MOSFET

Der Nexperia   PSMN8R0 N-Kanal-MOSFET ist ein Dual-Logikschaltung-Level N-Kanal-MOSFET in einem LFPAK56D (Dual-power-SO8)-Gehäuse. Der MOSFET verwendet   TrenchMOS-Technologie. Das Bauelement verfügt über ein wiederkehrendes Avalanche-Rating und ist für 175 ° C zugelassen.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A
Datenblatt
3’252Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.8 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 40V 30A
Datenblatt
66Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel