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MPM3593GQY-0001-T

Name: Monolithic Power Systems (MPS) MPM3593GQY-0001-T
Brand: Monolithic Power Systems (MPS)
SKU: 946-MPM3593GQY-01-T
Price: 6.13 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

946-MPM3593GQY-01-T

Herst.- Nr.:

MPM3593GQY-0001-T

Herst.:

Monolithic Power Systems (MPS)

Beschreibung:

Energieverwaltungsmodule High-Efficiency, 45V, 3A, Digitally Calibrated, Synchronous Step-Down Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MPM3593GQY-0001-T Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Monolithic Power Systems (MPS)
Produktkategorie:	Energieverwaltungsmodule
RoHS:
Produkt:	Voltage Regulator - Switching Regulator
Eingangsspannung – Max:	45 V
Ausgangsspannung:	800 mV to 12 V
Ausgangsstrom:	3 A
Schaltfrequenz:	500 kHz
Marke:	Monolithic Power Systems (MPS)
Abmessungen:	6 mm x 8 mm x 1.65 mm
Abfallzeit:	120 ns
Eingangsspannung – Min:	3.5 V
Ladungsregulierung:	Regulated
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	Power Management Modules
Anstiegszeit:	120 ns
Serie:	MPM3593
Verpackung ab Werk:	640
Unterkategorie:	Embedded Solutions

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Datenblatt

MPM3593GQY-0001-T Datenblatt

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

MPM3593 Synchronous Step-Down Module

Monolithic Power Systems (MPS) MPM3593 Synchronous Step-Down Module is a high-frequency and rectified module. This module consists of an I²C control interface and a multi-page One-Time Programmable (OTP) memory. The MPM3593 step-down module achieves up to 3A of continuous output current (I_OUT), with excellent load and line regulation across a wide input voltage (VI_N) range. This module is designed to support a 0.8V to 12V output voltage (V_OUT) that can be adjusted on the fly via an I²C serial interface. The MPM3593 step-down module integrates an internal High-Side MOSFET (HS-FET) and Low-Side MOSFET (LS-FET) to achieve high efficiency without requiring an external Schottky diode.