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AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 9.23 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGHL50T65SQDC

Herst.- Nr.:

AFGHL50T65SQDC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Datenblatt:

AFGHL50T65SQDC Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	SiC
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	268 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGHL50T65SQDC
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	100 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	EliteSiC
Gewicht pro Stück:	7.326 g

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Datenblatt

AFGHL50T65SQDC Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid-IGBT

Der AFGHL50T65SQDC Hybrid-IGBT von onsemi bietet niedrige Leitungs- und Schaltverluste sowie eine optimale Performance. Der AFGHL50T65SQDC verfügt über einen Strom von 50 A und eine Kollektor-zu-Emitter-Spannung von 650 V. Das Bauteil eignet sich hervorragend für Betriebsabläufe mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, besonders in Totem-Pole-basierten brückenlosen PFCs und Wechselrichtern. Der AFGHL50T65SQDC Hybrid-IGBT ist für Fahrzeuganwendungen AEC-Q100-qualifiziert.