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DMTH6010LK3Q-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6010LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6010LK3Q-13
Price: 1.7 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH6010LK3Q-13

Herst.- Nr.:

DMTH6010LK3Q-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

Datenblatt:

DMTH6010LK3Q-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.70	CHF 1.70
	CHF 1.08	CHF 10.80
	CHF 0.723	CHF 72.30
	CHF 0.586	CHF 293.00
	CHF 0.526	CHF 526.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.467	CHF 1’167.50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	41.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Serie:	DMTH6010
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.7 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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Datenblatt

DMTH6010LK3Q-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTH6010LK3Q n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Der n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET DMTH6010LK3Q von Diodes Inc. wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Anwendungen in der Automobilindustrie zu erfüllen. Dieser MOSFET ist produktionsseitig 100 % UIS-geprüft (Unclamped Inductive Switching), was eine bewährte und robuste Endanwendung gewährleistet. Der DMTH6010LK3Q MOSFET ist für hohe Umgebungstemperaturen geeignet und auf 175 °C eingestuft. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungssystemen, in der Karosseriesteuerungselektronik und in DC-DC-Wandlern. Der DMTH6010LK3Q MOSFET ist PPAP-fähig (Produktionsteil-Abnehmverfahren) und nach AEC-Q101 zugelassen.