1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs

Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation. Die Siliziumkarbid-Technologie von Wolfspeed ermöglicht kleinere Designs, kühlere Komponenten, reduzierte Bauteilgröße (Induktivitäten, Kondensatoren, Filter und Transformatoren) und Gesamtkostenvorteile. Die 1.700-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed versorgen mehrere 12-V- bis 48-V-Bauteile mit reduzierten Kühlbedingungen.

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Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Automotive Gen3 272Auf Lager
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AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Automotive Gen3 171Auf Lager
800erwartet ab 10.08.2026
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Mult.: 1
: 800
AEC-Q101