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NXH400N100L4Q2F2SG

Name: onsemi NXH400N100L4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: 863-H400N100L4Q2F2SG
Price: 153.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-H400N100L4Q2F2SG

Herst.- Nr.:

NXH400N100L4Q2F2SG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule I-Type NPC 1000 V, 200 A IGBT, 1000 V, 75 A Diode Solder Pin

Datenblatt:

NXH400N100L4Q2F2SG Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
Produkt:	IGBT-Diode Modules
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Q2PACK
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NXH400N100L4Q2F2
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Module
Pd - Verlustleistung:	980 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Verpackung ab Werk:	12
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules

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Datenblatt

NXH400N100L4Q2F2SG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH400N100L4Q2F2 IGBT-Module

Onsemi NXH400N100L4Q2F2 IGBT-Module enthalten einen geklemmten Dreistufen-I-Typ-Neutralpunkt-Wechselrichter. Die onsemi NXH400N100L4Q2F2 Module nutzen integrierte Field-Stop-Trench-IGBTs und FRDs zur Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten, um einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad und eine außergewöhnliche Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Die Module verfügen über ein neutrales Punkt-geklemmtes Dreistufen-Wechselrichter-Design und verwenden einen extrem effizienten Trench mit Field-Stop-Technologie für eine optimierte Leistung. Das Layout mit niedriger Induktivität und die Gehäusehöhe der Bauteile verbessern den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit weiter und integrieren gleichzeitig einen Thermistor für die Temperaturüberwachung.