NVHL075N065SC1

onsemi
863-NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Abfallzeit: 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 9 S
Verpackung: Tube
Produkt: Mosfets
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 26 ns
Serie: NVHL075N065SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

M2 EliteSiC-MOSFETs

onsemi M2 EliteSic-MOSFETs verfügen über Spannungsoptionen von 650 V, 750 V und 1.200 V. Die M2-MOSFETs von onsemi sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar, einschließlich D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4-8x8, TO-247-3LD und TO-247-4LD. Die MOSFETs bieten Flexibilität bei Design und Implementierung. Darüber hinaus verfügen die M2 EliteSic MOSFETs über eine maximale Gate-Source-Spannung von +22 V/-8 V, einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT).

NVHL075N065SC1 Siliziumkarbid (SIC)-MOSFETs

Die onsemi NVHL075N065SC1 Siliziumkarbid (SIC)-MOSFETs sind leistungsstarke Bauteile mit außergewöhnlichen Eigenschaften. Der NVHL075N065SC1 von onsemi bietet einen typischen RDS(on) von 57 mΩ bei einer Gate-Quellenspannung (VGS) von 18 V und 75 mΩ bei 15 V. Das Bauteil verfügt über eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 61 nC) und eine niedrige Ausgangskapazität (Coss = 107 pF), um ein schnelles Schalten und reduzierte Leistungsverluste zu gewährleisten.

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