NXP MRF300 LDMOS-HF-Leistungstransistoren

Die MRF300 LDMOS-HF-Leistungstransistoren von NXP verfügen über einen unübertroffenen Ein- und Ausgang, der einen Betrieb über einen großen Frequenzbereich von 1,8 MHz bis 250 MHz ermöglicht. Durch die hohe Robustheit, eignen sich diese Transistoren für ISM-Applikationen (Industrial, Scientific und Medical) mit hohem VSWR, Rundfunk, mobile Funkgeräte, HF-/VHF-Kommunikation und Schaltnetzteile. Die MRF300 LDMOS-Transistoren bieten zwei gegenüberliegende Pinbelegungsversionen (A und B), die zur Verwendung in einer Push-Pull-Two-Up-Konfiguration für die Breitband-Leistungsfähigkeit ausgelegt sind. Diese Transistoren sind in einem TO-247-Industriestandard-Gehäuse untergebracht und bieten Flexibilität und eine einfache Montage.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Datenblatt
370Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube