DDR SRAMs

GSI Technology SigmaDDR™ SRAMs are synchronous memories with a common read and write data bus that combines capacity and performance with transaction rates unequaled by competitors. SigmaDDR SRAMs "DDR" refers to the ability to transfer two beats of data on the data bus in a single clock cycle. SigmaDDR memories are ideal for applications that alternate between read and write operations infrequently, at operating speeds of 250 MHz and above. GSI's SigmaDDR devices are compatible with all competitor Double Data Rate SRAMs.

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
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72 Mbit 2 M x 36 625 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.23 A 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
Mult.: 8

72 Mbit 2 M x 36 675 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.38 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
Mult.: 8

72 Mbit 2 M x 36 725 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.49 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
Mult.: 8

72 Mbit 2 M x 36 725 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.49 A 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
Mult.: 8
72 Mbit 2 M x 36 550 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.03 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
Mult.: 8
72 Mbit 2 M x 36 625 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.23 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.5V 2M x 36 72M
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Min.: 8
Mult.: 8
72 Mbit 2 M x 36 725 MHz Parallel 1.4 V 1.3 V 2.49 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
Mult.: 10
144 Mbit 16 M x 8 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 605 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 765 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 350 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 810 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 375 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 855 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 595 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 690 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 755 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 350 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 375 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 845 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 605 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
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144 Mbit 16 M x 8 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 16 M x 8 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 765 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 16 M x 8 350 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 810 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
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Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 16 M x 8 375 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 855 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
Datenblatt
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Min.: 10
Mult.: 10
144 Mbit 16 M x 9 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 605 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
144 Mbit 16 M x 9 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
144 Mbit 16 M x 9 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 765 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray