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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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806Auf Lager
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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847Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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732Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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316Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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8Auf Lager
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Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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212Auf Lager
500erwartet ab 02.03.2026
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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218Auf Lager
500erwartet ab 24.02.2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
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358Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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490Auf Lager
Min.: 1
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Rolle: 3'000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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25Auf Lager
500erwartet ab 03.09.2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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318Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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151Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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178Auf Lager
240erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
298Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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136Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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73Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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38Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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4'000erwartet ab 27.08.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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Rolle: 2'000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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2'999erwartet ab 19.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
2'990erwartet ab 20.08.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
1'000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
Vorlaufzeit 19 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel