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SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 1.48 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ211ELP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ211ELP-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJ211ELP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.48	CHF 1.48
	CHF 1.05	CHF 10.50
	CHF 0.75	CHF 75.00
	CHF 0.598	CHF 299.00
	CHF 0.56	CHF 560.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.486	CHF 1'458.00
	CHF 0.484	CHF 2'904.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	33.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	32.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

SQJ211ELP-T1_GE3 Datenblatt

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ211ELP 100-V-p-Kanal-Automotive-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SQJ211ELP 100-V-p-Kanal-Automotive-MOSFET bietet einen Drain-Source-Strom von -100 V_DS in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Knickflügelleitungen. Dieser MOSFET verfügt über einen Einschaltwiderstand von bis zu 30 Ω bei 10 V und eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Der SQJ211ELP 100-V-Automotive-p-Kanal-MOSFET von Vishay/Siliconix ist AEC-Q101-qualifiziert, 100% Rg- und UIS-getestet, RoHS-konform und halogenfrei.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.