E-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Die 4. Gen. MOSFETs der E-Baureihe von Vishay Semiconductors sind MOSFETs mit niedriger Gütezahl (Figure-of-Merit, FOM) und E-Baureihen-Technologie. Die E-Baureihe MOSFETs der 4. Gen. verfügen über eine niedrige Betriebskapazität und geringere Schalt- und Leitungsverluste. Diese MOSFETs sind UIS-eingestuft (Avalanche Energy Rated). Die MOSFETs der 4. Gen. sind in TO-220AB-, PowerPAK®-SO-8L-, PowerPak®-8-x-8-, DPAK- (TO-252) und Thin-Lead-TO-220-FULLPAK-Gehäusen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Schaltnetzteile (SNT) und Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC).

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 40A N-CH MOSFET
Datenblatt
Produkt-Kommentare
930Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 74 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
Datenblatt
588Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
Datenblatt
3'000erwartet ab 09.04.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs E Series Power
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1'000
Mult.: 1'000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 N CHAN 700V 34A
Datenblatt
355Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 2 Channel 700 V 34 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 173 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tray