NTMTS002N10MCTXG

onsemi
863-NTMTS002N10MCTXG
NTMTS002N10MCTXG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TDFNW-8
N-Channel
1 Channel
100 V
236 A
5.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
255 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: SIngle
Abfallzeit: 26 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 180 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 19 ns
Serie: NTMTS002N10MC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 59 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 29 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTMTS002N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi NTMTS002N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Die NTMTS002N10MC MOSFETs von onsemi verfügen über einen kompakten Footprint von 8 mm x 8 mm und ermöglichen platzsparende Designs. Der niedrige RDS(on) der Bauteile gewährleistet minimale Leitungsverluste, während die geringe QG und Kapazität Treiberverluste reduzieren und so eine hervorragende Schaltleistung gewährleisten. Diese MOSFETs sind in einem Power-88-Gehäuse untergebracht sowie bleifrei und RoHS-konform und an moderne Umweltstandards angepasst.

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