Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 1.78 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RH7G04CBJFRATCB

Herst.- Nr.:

RH7G04CBJFRATCB

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RH7G04CBJFRATCB Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	17.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	33 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	13 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

RH7G04CBJFRATCB Datenblatt

Other

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Automotive

Die 125 °C I²C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Fahrzeuganwendungen von ROHM Semiconductor sind AEC-Q100-qualifiziert. Die I²C-BUS-EEPROMs von ROHM verfügen über zwei Ports serieller Takt (SCL) und serieller Daten (SDA), über die alle Steuerungen verfügbar sind. Die EEPROMs werden in einem großen Bereich von 1,7 V bis 5,5 V mit einem möglichen 1 MHz-Betrieb betrieben.

RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

Die P-Ch-Leistungs-MOSFETs der Baureihe RH7G04CBJFRA von ROHM Semiconductor sind gemäß AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie. Das Bauelement bietet eine Drain-Source-Spannung von -40 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von ±40 A. Der MOSFET RH7G04CBJFRA von ROHM ist in einem DFN-8-Gehäuse erhältlich.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

EMPFOHLENE PRODUKTE

ROHM SEMICONDUCTOR

600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

Mehr erfahren

RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.

Mehr erfahren

RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.

Mehr erfahren

RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

Mehr erfahren

RQxAT P-Kanal-MOSFETs

Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

Mehr erfahren

Auf Lager: 6’000

Lagerbestand:: 6’000 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 16 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.78	CHF 1.78
	CHF 0.877	CHF 8.77
	CHF 0.763	CHF 76.30
	CHF 0.613	CHF 306.50
	CHF 0.578	CHF 578.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.506	CHF 1’518.00
	CHF 0.487	CHF 2’922.00

RH7G04CBJFRATCB

Herst.: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Technische Daten

Dokumente (3)

Datenblatt

Other

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Automotive

RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

Electronic Vehicle (EV) Solutions

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE ROHM SEMICONDUCTOR

Auf Lager: 6’000

Preis (CHF)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

EMPFOHLENE PRODUKTE

ROHM SEMICONDUCTOR