STGWA100H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA100H65DFB2
STGWA100H65DFB2

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

ECAD Model:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
145 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6.100 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STGWA100H65DFB2 HB2-IGBT

Der STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2-IGBT stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur dar. Die HB2-Baureihe optimiert die Durchleitung mit einem besseren VCE(sat) bei niedrigen Stromwerten und reduzierter Schaltenergie. Der STGWA100H65DFB2 HB2-IGBT verfügt über eine niedrige VCE(sat) von 1,55 V (typisch) bei einem IC von 100 A.

Auf Lager: 599

Lagerbestand:
599 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
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Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 5.87 CHF 5.87
CHF 3.37 CHF 33.70
CHF 3.29 CHF 329.00
CHF 2.92 CHF 1’752.00
CHF 2.35 CHF 2’820.00