PMZ290UNE2YL

Nexperia
771-PMZ290UNE2YL
PMZ290UNE2YL

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PMZ290UNE2/SOT883/XQFN3

ECAD Model:
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Nexperia
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1006-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.2 A
320 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
800 pC
- 55 C
+ 150 C
715 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Verpackung ab Werk: 10000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 6 ns
Artikel # Aliases: 934068801315
Gewicht pro Stück: 0.800 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

PMZ290UNEX n-Kanal-MOSFETs

Die Nexperia PMZ290UNEX n-Kanal-MOSFETs sind Erweiterungsmodus-Feldeffekttransistoren (FET) mit niedriger Schwellenspannung und schneller Schaltung. Diese MOSFETs bieten zwei Varianten, eine mit 2 kV HBM und die andere mit mehr als 2 kV HBM elektrostatischem Entladungsschutz. Die PMZ290UNEX MOSFETs sind in einem bleifreien kleinen DFN1006-3 (SOT883) SMD-Kunststoffgehäuse von 1,0 mm x 0,6 mm x 0,48 mm unter Verwendung der Trench-MOSFET-Technologie erhältlich. Zu den Applikationen gehören Relaistreiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.