RV8L002SN und RV8C010UN Kleinsignal-MOSFETs

ROHM Semiconductor RV8L002SN und RV8C010UN Kleinsignal-MOSFETs verfügen über ein unbedrahtetes extrem kleines Gehäuse und ein freiliegendes Drain-Pad für eine ausgezeichnete Wärmeleitung. Darüber hinaus bieten die MOSFETs der Baureihen RV8L002SN und RV8C010UN ein sehr schnelle Schaltgeschwindigkeiten, einen Antrieb mit 2,5 V mit extrem niedriger Spannung und ESD-Schutz bis zu 2 kV.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
Datenblatt
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7’726Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 8’000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
Datenblatt
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8’000erwartet ab 22.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 8’000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape