SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
Datenblatt:
ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 1.54 CHF 1.54
CHF 1.02 CHF 10.20
CHF 0.746 CHF 74.60
CHF 0.611 CHF 305.50
CHF 0.535 CHF 535.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 0.442 CHF 1'326.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR3x3-4
N-Channel
2 Channel
30 V
75 A, 141 A
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
1 V, 1.1 V
22 nC, 62 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 7 ns, 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 60 S, 90 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 40 ns, 53 ns
Serie: SIZ
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 23 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 17 ns, 25 ns
Gewicht pro Stück: 143.050 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus. 

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird. 

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