MC33GD3100 Erweiterte IGBT/SiC Gate-Treiber

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber   MC33GD3100 von NXP Semiconductors sind Einkanal-Gate-Treiber für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT) und Siliziumkarbid (SiC) Power -Bauteile. Die MC33GD3100 Gate-Treiber von NXP verfügen über erweiterte Funktionssicherheits-, Steuerungs- und Schutzfunktionen, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen und EV-Antriebsstrang-Applikationen eignen (vollständig AEC-Q100 Klasse 1 qualifiziert). Integrierte galvanische Trennung und Antriebstransistoren mit niedrigem Einschaltwiderstand sorgen für einen  hohen Lade- und Entladestrom, niedrige dynamische Sättigungsspannung und Rail-to-Rail -Gate-Spannungssteuerung. Die Strom- und Temperaturmessung minimiert die IGBT-Belastung bei Fehlern. Eine präzise und  konfigurierbare Unterspannungsabschaltung (UVLO) schützt und gewährleistet gleichzeitig einen ausreichenden  Spielraum für die Gate-Treiberspannung.

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Verpackung
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
80Auf Lager
CHF 9.26
CHF 7.22
CHF 6.71
CHF 6.16
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Min.: 1
Mult.: 1
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
84Auf Lager
CHF 7.98
CHF 6.21
CHF 5.66
CHF 5.16
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Min.: 1
Mult.: 1
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
84Auf Lager
CHF 7.98
CHF 6.21
CHF 5.66
CHF 5.16
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Min.: 1
Mult.: 1
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
CHF 5.16
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
CHF 9.26
CHF 7.22
CHF 6.71
CHF 6.16
CHF 5.84
Min.: 1
Mult.: 1
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Tube
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
CHF 5.61
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Reel
CHF 4.90
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
CHF 4.90
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
: 1’000
GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C 40 V 5 V Reel