MC33GD3100 Erweiterte IGBT/SiC Gate-Treiber

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber   MC33GD3100 von NXP Semiconductors sind Einkanal-Gate-Treiber für isolierte Gate-Bipolartransistoren (IGBT) und Siliziumkarbid (SiC) Power -Bauteile. Die MC33GD3100 Gate-Treiber von NXP verfügen über erweiterte Funktionssicherheits-, Steuerungs- und Schutzfunktionen, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen und EV-Antriebsstrang-Applikationen eignen (vollständig AEC-Q100 Klasse 1 qualifiziert). Integrierte galvanische Trennung und Antriebstransistoren mit niedrigem Einschaltwiderstand sorgen für einen  hohen Lade- und Entladestrom, niedrige dynamische Sättigungsspannung und Rail-to-Rail -Gate-Spannungssteuerung. Die Strom- und Temperaturmessung minimiert die IGBT-Belastung bei Fehlern. Eine präzise und  konfigurierbare Unterspannungsabschaltung (UVLO) schützt und gewährleistet gleichzeitig einen ausreichenden  Spielraum für die Gate-Treiberspannung.