Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
Die Super Fast Recovery Dioden von ROHM Semiconductor wurden entwickelt, um den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen zu verbessern. Diese Dioden zeichnen sich durch planares Silizium-Epitaxiesystem, niedrige Durchlassspannung und geringe Schaltverluste aus. Diese RFNxLBxS sind ideal für allgemeine Applikationen.
