NVTFS014P04M8L Leistungs-MOSFETs

Die NVTFS014P04M8L Leistungs-MOSFETs von Onsemi sind p-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs mit -40 V, -49 A, die über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung der Leitungs- und Treiberverluste verfügen. Die NVTFS014P04M8L Leistungs-MOSFETs von Onsemi kommen in einem 3,3 mm × 3,3 mm großen Footprint für ein kompaktes Design. Die Leistungs-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Typische Applikationen sind Batterieschutz, Motorsteuerung, Leistungsschalter, Schaltnetzteile, Lastschalter und Magnetventiltreiber.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
Datenblatt
14'988Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 49 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
Datenblatt
5'948Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'500

Si SMD/SMT WDFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 49 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel