650 V 3-Stufen-IGBT-Module

Infineon Technologies 3-Stufen-650-V-IGBT-Module sind EasyPACK™-Module mit Trench-/Fieldstop-Technologie. Diese Module haben ein Design mit niedriger Induktivität, geringe Schaltverluste und eine niedrige VCE(sat). Die IGBT-Module bieten ein Al2O3 -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand, ein kompaktes Design, PressFIT-Kontakttechnologie und eine robuste Montage durch integrierte Montageklemmen. Mögliche Applikationen umfassen Dreistufen-Applikationen, Motorantriebe, Solarapplikationen und USV-Systeme in EasyPACK™-Modulen.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.46 V 100 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray