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NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 1.08 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFD5C672NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFD5C672NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL S08FL DS

Datenblatt:

NTMFD5C672NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.08	CHF 1.08
	CHF 0.683	CHF 6.83
	CHF 0.452	CHF 45.20
	CHF 0.353	CHF 176.50
	CHF 0.304	CHF 304.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.28	CHF 420.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	49 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	12.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	NTMFD5C672NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NTMFD5C672NLT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMFD5C672NL n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET NTMFD5C672NL von Onsemi ist für kompakte und effiziente Designs, einschließlich einer hohen thermischen Leistungsfähigkeit ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(on), eine niedrige QG und Kapazität, eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen gepulsten Drainstrom von 146 A und einen Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Der NTMFD5C672NL Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist blei-, halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken), synchrone DC/DC-Regler sowie Batteriemanagement- und Schutzsysteme.