NTMFD5C672NLT1G

onsemi
863-NTMFD5C672NLT1G
NTMFD5C672NLT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T6 60V LL S08FL DS

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
2 Channel
60 V
49 A
11.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
12.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 27.5 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 30 ns
Serie: NTMFD5C672NL
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NTMFD5C672NL n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET NTMFD5C672NL von Onsemi ist für kompakte und effiziente Designs, einschließlich einer hohen thermischen Leistungsfähigkeit ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on), eine niedrige QG und Kapazität, eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen gepulsten Drainstrom von 146 A und einen Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Der NTMFD5C672NL Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist blei-, halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken), synchrone DC/DC-Regler sowie Batteriemanagement- und Schutzsysteme.

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