CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs

Die CoolMOS™ CE Leistungs-MOSFETs von Infineon sind eine nach dem Kompensationsprinzip (Superjunction, SJ) entwickelte Technologieplattform aus Hochspannungs-MOSFETs. Das Portfolio umfasst CoolMOS™ CEs mit 500 V, 600 V, 650 V, 700 V, und 800 V, die für den Einsatz in Ladegeräten mit geringem Stromverbrauch für Mobilgeräte, Elektrowerkzeuge, Adapter für Notebooks und Laptops, LCD- und LED-Fernseher und LED-Leuchten gedacht sind. Diese neue Baureihe von CoolMOS™ ist kostenoptimiert, um die typischen Anforderungen in Anwendungen für Endverbraucher ohne Kompromisse bei der bewährten CoolMOS ™ Qualität und Zuverlässigkeit zu erfüllen, und gleichzeitig immer noch preislich attraktiv zu bleiben.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
Datenblatt
375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
6Auf Lager
1'440erwartet ab 26.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
94Auf Lager
240erwartet ab 09.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
121Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 32.4A TO220-3
Datenblatt
198Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
207erwartet ab 05.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Datenblatt
888erwartet ab 09.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V TO-220FP-3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 21A I2PAK-3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube