NTMTS0D7N04CTXG

onsemi
863-NTMTS0D7N04CTXG
NTMTS0D7N04CTXG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
420 A
670 uOhms
20 V
4 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 200 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18.1 ns
Serie: NTMTS0D7N04C
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 28.9 ns
Gewicht pro Stück: 319.280 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Philippinen
Land der Verbreitung:
Japan
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Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

NTMTS0D7N04C 40 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMTS0D7N04C 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET wurde mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren von onsemi hergestellt und enthält eine abgeschirmte Gate-Technologie. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung. Der NTMTS0D7N04C von onsemi bietet einen Dauersenkenstrom (ID) von 420 A und einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON) von 0,67 mΩ (max.).

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