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SIC653ACD-T1-GE3

Name: Vishay SIC653ACD-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIC653ACD-T1-GE3
Price: 2.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIC653ACD-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIC653ACD-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Schaltspannungsregler 50A VPOWER INTGRATED POWER STAGE

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIC653ACD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 1.40	CHF 14.00
	CHF 1.24	CHF 31.00
	CHF 1.03	CHF 103.00
	CHF 0.97	CHF 242.50
	CHF 0.851	CHF 425.50
	CHF 0.784	CHF 784.00
	CHF 0.666	CHF 1'998.00
	CHF 0.632	CHF 3'792.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Schaltspannungsregler
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	MLP55-31
Struktur:	Buck
Ausgangsstrom:	50 A
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Eingangsspannung – Min:	4.5 V
Eingangsspannung – Max:	24 V
Schaltfrequenz:	1.5 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	SIC
Marke:	Vishay Semiconductors
Eingangsspannung:	4.5 V to 24 V
Produkt-Typ:	Switching Voltage Regulators
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Typ:	Integrated Power Stage

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Datenblatt

SIC653ACD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

SiC653A 50 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC653A 50 A VRPower^® von Vishay Semiconductors für synchron geregelte Abwärtswandleranwendungen ausgelegt und bietet eine hohe Stromstärke, einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte. Die SiC653A von Vishay Semiconductors ist in einem kompakten MLP-Gehäuse von 5 mm x 5 mm untergebracht und ermöglicht es Spannungsreglern, bis zu 50 A Dauerstrom pro Phase zu liefern. Dank der fortschrittlichen Gen IV TrenchFET-MOSFET-Technologie von Vishay minimiert die SiC653A die internen Schalt- und Leitungsverluste und bietet so eine branchenführende Leistung. Ihr fortschrittlicher Gate-Treiber-IC verfügt über eine hohe Ansteuerungsstromfähigkeit, adaptive Totzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode, ein thermisches Warnsignal (THWn) zur Temperaturüberwachung und eine Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Der Treiber unterstützt Tri-State PWM-, 3,3 V- und 5 V-Logikschaltung und ist mit verschiedenen PWM-Controllern kompatibel.