Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 3.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV51561BBDWR2G

Herst.- Nr.:

NCV51561BBDWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Datenblatt:

NCV51561BBDWR2G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NCV51561BBDWR2G

Auf Lager: 982

Lagerbestand:: 982 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 31 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 3.26	CHF 3.26
	CHF 2.47	CHF 24.70
	CHF 2.28	CHF 57.00
	CHF 2.06	CHF 206.00
	CHF 1.95	CHF 487.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 1.78	CHF 1’780.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCV51561
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	58 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	SiC
Typ:	High-Side, Low-Side

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NCV51561BBDWR2G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Japan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NCV51561 Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber

Der onsemi NCV51561 isolierte Zweikanal-Gate-Treiber verfügt über einen Quellen-Spitzenstrom von 4,5 A und einen Senken-Spitzenstrom von 9 A mit kurzen und angepassten Laufzeitverzögerungen. Der NCV51561 ist für ein schnelles Schalten zum Antrieb von Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgelegt.