MMFTP6312D

Diotec Semiconductor
637-MMFTP6312D
MMFTP6312D

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Datenblatt:
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Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-26-6
P-Channel
2 Channel
20 V
2.3 A
115 mOhms
- 8 V, 8 V
1.5 V
4.4 nC
- 55 C
+ 150 C
960 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Diotec Semiconductor
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 8 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 13 ns
Serie: MMFTN/P
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Models

Konformitätscodes
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

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